近日，中科院化学所宋延林研究员（图左）与上海有机所丁奎岭研究员、物理所高鸿钧研究员等合作在超高密度信息存储材料研究领域取得新的进展。

宋延林研究员等设计了可以通过分子间氢键和p-p相互作用自组装形成单晶薄膜的超分子体系，系统研究了该薄膜的生长特性, 成功地在高定向裂解石墨基底上制备出分子规整排列的晶态薄膜；通过在扫描隧道显微镜针尖和基底之间施加电压脉冲的方法，在该超分子薄膜上实现纳米尺寸信息点的写入，信息点的平均直径仅2.2纳米, 信息点间距仅1.0纳米，对应信息存储密度比现有光盘提高10万倍。这一研究结果为用于高密度信息存储的新型功能材料的设计和制备提供了新的思路和途径。

《科技日报》 2005年1月20日